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文献
J-GLOBAL ID：200902208464104161
整理番号：09A0408261
4H-SiC接合障壁Schottkyデバイス中の三角形欠陥の電気的及び構造的研究
Electrical and structural investigation of triangular defects in 4H-SiC junction barrier Schottky devices
BERECHMAN R. A.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Carnegie Mellon Univ., 5000 Forbes Avenue, Pittsburgh, Pennsylvania 15213, USA)
,
SKOWRONSKI M.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Carnegie Mellon Univ., 5000 Forbes Avenue, Pittsburgh, Pennsylvania 15213, USA)
,
ZHANG Q.
(Cree Inc., 4600 Silicon Drive, Durham, North Carolina 27703, USA)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 105 号： 7 ページ： 074513 発行年： 2009年04月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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