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文献
J-GLOBAL ID：200902208506718467
整理番号：06A0630653
触媒化学蒸着によるSiN不動態化のAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタの電気的性質にあたえる効果
Effects of SiN passivation by catalytic chemical vapor deposition on electrical properties of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors
HIGASHIWAKI Masataka
(National Inst. of Information and Communications Technol., Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)
,
ONOJIMA Norio
(National Inst. of Information and Communications Technol., Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)
,
MATSUI Toshiaki
(National Inst. of Information and Communications Technol., Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)
,
MIMURA Takashi
(Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 100 号： 3 ページ： 033714-033714-6 発行年： 2006年08月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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