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文献
J-GLOBAL ID：200902208578630955
整理番号：07A1105451
GaNベース発光ダイオードにおける効率降下の起源
Origin of efficiency droop in GaN-based light-emitting diodes
KIM Min-ho
(Future Chips Constellation, Dep. of Electrical, Computer, and Systems Engineering, Rensselaer Polytechnic Inst. ...)
,
SCHUBERT Martin F.
(Future Chips Constellation, Dep. of Electrical, Computer, and Systems Engineering, and Dep. of Physics, Applied ...)
,
DAI Qi
(Future Chips Constellation, Dep. of Electrical, Computer, and Systems Engineering, and Dep. of Physics, Applied ...)
,
KIM Jong Kyu
(Future Chips Constellation, Dep. of Electrical, Computer, and Systems Engineering, and Dep. of Physics, Applied ...)
,
SCHUBERT E. Fred
(Future Chips Constellation, Dep. of Electrical, Computer, and Systems Engineering, and Dep. of Physics, Applied ...)
,
PIPREK Joachim
(NUSOD Inst. LLC, Newark, Delaware 19714, USA)
,
PARK Yongjo
(Central R&D Inst., Samsung Electro-Mechanics, Su-Won, 443-743, KOR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 91 号： 18 ページ： 183507-1-183507-3 発行年： 2007年10月29日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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