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文献
J-GLOBAL ID：200902208594701900
整理番号：09A0844961
低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F2クロスポイント型相変化メモリ
Cross-point phase change memory with 4F2 cell size driven by low-contact-resistivity poly-Si diode
笹子佳孝
(日立 中研)
,
木下勝治
(日立 中研)
,
森川貴博
(日立 中研)
,
黒土健三
(日立 中研)
,
半澤悟
(日立 中研)
,
峰利之
(日立 中研)
,
島明生
(日立 中研)
,
藤崎芳久
(日立 中研)
,
久米均
(日立 中研)
,
守谷浩志
(日立 機械研)
,
高浦則克
(日立 中研)
,
鳥居和功
(日立 中研)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 109 号： 133(SDM2009 97-116) ページ： 79-83 発行年： 2009年07月09日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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