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文献
J-GLOBAL ID：200902208601012962
整理番号：03A0737727
1.49μmにおける低しきい値CW GaInNAsSb/GaAsレーザ
Low-threshold CW GaInNAsSb/GaAs laser at 1.49μm.
BANK S R
(Stanford Univ., CA, USA)
,
WISTEY M A
(Stanford Univ., CA, USA)
,
YUEN H B
(Stanford Univ., CA, USA)
,
GODDARD L L
(Stanford Univ., CA, USA)
,
HA W
(Stanford Univ., CA, USA)
,
HARRIS J S JR
(Stanford Univ., CA, USA)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 39 号： 20 ページ： 1445-1446 発行年： 2003年10月02日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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