文献
J-GLOBAL ID:200902208920869515
整理番号:05A0225711
Si(100),(110),(111)面上のn及びp型反転層における一軸応力下の移動度の面内異方性とユニバーサリティー
In-Plane Mobility Anisotropy and Universality Under Uni-Axial Strains in n- and p-MOS Inversion Layers on (100), (110), and (111)
著者 (4件):
入江宏
(東大 大学院工学系研究科)
,
喜多浩之
(東大 大学院工学系研究科)
,
弓野健太郎
(東大 大学院工学系研究科)
,
鳥海明
(東大 大学院工学系研究科)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
104
号:
577(SDM2004 209-221)
ページ:
13-16
発行年:
2005年01月14日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)