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文献
J-GLOBAL ID：200902209175342786
整理番号：06A0566103
その場マスクを用いる狭い領域の高品質InAs量子ドットの選択成長
Selective growth of high quality InAs quantum dots in narrow regions using in situ mask
OHKOUCHI Shunsuke
(The Femtosecond Technol. Res. Assoc. (FESTA), 5-5 Tokodai, Tsukuba, Ibaraki 300-2635, JPN)
,
NAKAMURA Yusui
(The Femtosecond Technol. Res. Assoc. (FESTA), 5-5 Tokodai, Tsukuba, Ibaraki 300-2635, JPN)
,
NAKAMURA Yusui
(Kumamoto Univ., 2-39-1 Kurokami, Kumamoto 860-8555, JPN)
,
NAKAMURA Hitoshi
(The Femtosecond Technol. Res. Assoc. (FESTA), 5-5 Tokodai, Tsukuba, Ibaraki 300-2635, JPN)
,
IKEDA Naoki
(The Femtosecond Technol. Res. Assoc. (FESTA), 5-5 Tokodai, Tsukuba, Ibaraki 300-2635, JPN)
,
SUGIMOTO Yoshimasa
(The Femtosecond Technol. Res. Assoc. (FESTA), 5-5 Tokodai, Tsukuba, Ibaraki 300-2635, JPN)
,
SUGIMOTO Yoshimasa
(Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8577, JPN)
,
ASAKAWA Kiyoshi
(The Femtosecond Technol. Res. Assoc. (FESTA), 5-5 Tokodai, Tsukuba, Ibaraki 300-2635, JPN)
,
ASAKAWA Kiyoshi
(Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8577, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 293 号： 1 ページ： 57-61 発行年： 2006年07月15日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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