文献
J-GLOBAL ID:200902209434269189
整理番号:03A0433450
p-n接合シリコン-ゲルマニウムにおけるドーパント移動のXPS分析
XPS Analysis of Dopant Penetration in Joined p-n Silicon-Germanium Semiconductor
著者 (4件):
OTAKE M
(Hamamatsu Industrial Res. Inst., Shisuoka)
,
SATO K
(Hamamatsu Industrial Res. Inst., Shisuoka)
,
SUGIYAMA O
(Fuji Industrial Res. Inst., Shizuoka)
,
KANEKO S
(Shizuoka Univ., Shisuoka)
資料名:
日本セラミックス協会学術論文誌
(Journal of the Ceramic Society of Japan)
巻:
111
号:
1294
ページ:
436-438
発行年:
2003年06月01日
JST資料番号:
F0382A
ISSN:
0914-5400
CODEN:
JCSJEW
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)