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文献
J-GLOBAL ID：200902209574729066
整理番号：08A0548995
薄いカリクサレンレジストに20x20nm2ピッチのドットアレーを30KeV電子ビームで描画する際の極めて小さい近接効果
Extremely Small Proximity Effect in 30 keV Electron Beam Drawing with Thin Calixarene Resist for 20×20 nm2 Pitch Dot Arrays
HOSAKA Sumio
(Gunma Univ., Gunma, JPN)
,
MOHAMAD Zulfakri
(Gunma Univ., Gunma, JPN)
,
SHIRA Masumi
(Gunma Univ., Gunma, JPN)
,
SANO Hirotaka
(Gunma Univ., Gunma, JPN)
,
YIN You
(Gunma Univ., Gunma, JPN)
,
MIYACHI Akihira
(Gunma Univ., Gunma, JPN)
,
SONE Hayato
(Gunma Univ., Gunma, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 1 号： 2 ページ： 027003.1-027003.3 発行年： 2008年02月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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