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文献
J-GLOBAL ID：200902209756751458
整理番号：06A0197210
真空蒸発とIBIECによって形成したSi/Ge多重層
Si/Ge multilayers formed by vacuum evaporation and IBIEC
KAWAKITA K.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
MOROZUMI K.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
IIZUKA T.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
YAMAMOTO Y.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement
(Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement)
号： 24 ページ： 21-24 発行年： 2006年03月
JST資料番号： L0263A ISSN： 0914-2908 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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