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文献
J-GLOBAL ID：200902209810518934
整理番号：05A0381009
トリス(ジエチルアミノ)クロロシランとアンモニアからの低圧化学蒸着による窒化けい素薄膜の作製と評価
Preparation and characterization of low pressure chemically vapor deposited silicon nitride thin films from tris(diethylamino)chlorosilane and ammonia
LIU Xue-Jian
(Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN)
,
CHEN Yao-Feng
(Univ. California, CA, USA)
,
LI Hui-Li
(Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN)
,
SUN Xing-Wei
(Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN)
,
HUANG Li-Ping
(Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 479 号： 1/2 ページ： 137-143 発行年： 2005年05月23日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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