文献
J-GLOBAL ID:200902209845993384
整理番号:08A0476796
InAlN/GaN HEMTの障壁層スケーリング
Barrier-Layer Scaling of InAlN/GaN HEMTs
著者 (8件):
MEDJDOUB F.
(Univ. Ulm, Ulm, DEU)
,
ALOMARI M.
(Univ. Ulm, Ulm, DEU)
,
CARLIN J.-F.
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (FPFL), Lausanne, CHE)
,
GONSCHOREK M.
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (FPFL), Lausanne, CHE)
,
FELTIN E.
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (FPFL), Lausanne, CHE)
,
PY M. A.
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (FPFL), Lausanne, CHE)
,
GRANDJEAN N.
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (FPFL), Lausanne, CHE)
,
KOHN E.
(Univ. Ulm, Ulm, DEU)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
29
号:
5
ページ:
422-425
発行年:
2008年05月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)