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文献
J-GLOBAL ID：200902210024611791
整理番号：03A0437207
室温におけるアルゴンビーム表面活性化によるシリコンウエハのウエハスケール自発ボンディング
Wafer-scale spontaneous bonding of silicon wafers by argon-beam surface activation at room temperature
TAKAGI H
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
MAEDA R
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SUGA T
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Sensors and Actuators. A. Physical
(Sensors and Actuators. A. Physical)
巻： A105 号： 1 ページ： 98-102 発行年： 2003年06月15日
JST資料番号： B0345C ISSN： 0924-4247 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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