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文献
J-GLOBAL ID：200902210027934427
整理番号：07A0138695
ヘテロ金属-絶縁体-半導体構造を用いた高性能ZnO/ZnMgO電界効果トランジスタ
High-performance ZnO/ZnMgO field-effect transistors using a hetero-metal-insulator-semiconductor structure
SASA Shigehiko
(Nanomaterials Microdevices Res. Center, Osaka Inst. of Technol., 5-16-1 Ohmiya, Asahi-ku, Osaka 535-8585, JPN)
,
OZAKI Masashi
(Nanomaterials Microdevices Res. Center, Osaka Inst. of Technol., 5-16-1 Ohmiya, Asahi-ku, Osaka 535-8585, JPN)
,
KOIKE Kazuto
(Nanomaterials Microdevices Res. Center, Osaka Inst. of Technol., 5-16-1 Ohmiya, Asahi-ku, Osaka 535-8585, JPN)
,
YANO Mitsuaki
(Nanomaterials Microdevices Res. Center, Osaka Inst. of Technol., 5-16-1 Ohmiya, Asahi-ku, Osaka 535-8585, JPN)
,
INOUE Masataka
(Nanomaterials Microdevices Res. Center, Osaka Inst. of Technol., 5-16-1 Ohmiya, Asahi-ku, Osaka 535-8585, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 89 号： 5 ページ： 053502-053502-3 発行年： 2006年07月31日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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