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文献
J-GLOBAL ID:200902210129466657   整理番号:06A0557425

Si(110)基板上に形成した非常に長いErSi2ナノワイヤの形成と構造解析

Formation and Structure Analysis of Very Long ErSi2 Nanowires Formed on Si(110) Substrates
著者 (7件):
WATANABE Ryouki
(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
HARAKO Susumu
(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
KUZUU Takashi
(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
KOUNO Kazuki
(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
KOBAYASHI Tomohiro
(RIKEN, Saitama, JPN)
MEGURO Takashi
(RIKEN, Saitama, JPN)
ZHAO Xinwei
(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)

巻: 45  号: 6B  ページ: 5535-5537  発行年: 2006年06月30日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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