文献
J-GLOBAL ID:200902210444653120
整理番号:04A0593632
10kV,123mΩ・cm2の4H-SiCパワーDMOSFET
10-kV, 123-mΩcm2 4H-SiC Power DMOSFETs
著者 (7件):
RYU S-H
(Cree, Inc., NC, USA)
,
KRISHNASWAMI S
(Cree, Inc., NC, USA)
,
O’LOUGHLIN M
(Cree, Inc., NC, USA)
,
RICHMOND J
(Cree, Inc., NC, USA)
,
AGARWAL A
(Cree, Inc., NC, USA)
,
PALMOUR J
(Cree, Inc., NC, USA)
,
HEFNER A R
(National Inst. Standards and Technol., MD, USA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
25
号:
8
ページ:
556-558
発行年:
2004年08月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)