文献
J-GLOBAL ID:200902210580164613
整理番号:07A0879326
Al2O3メモリ薄膜の双安定抵抗スイッチング
Bistable Resistive Switching in Al2O3 Memory Thin Films
著者 (5件):
LIN Chih-Yang
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
WU Chen-Yu
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
WU Chung-Yi
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
HU Chenming
(Univ. California at Berkeley, California, USA)
,
TSENG Tseung-Yuen
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
154
号:
9
ページ:
G189-G192
発行年:
2007年
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)