文献
J-GLOBAL ID:200902210677438041
整理番号:06A0988457
ウエハボンディングのための気相からの多結晶SiC基板の高温プロセシング
High temperature processing of poly-SiC substrates from the vapor phase for wafer-bonding
著者 (10件):
CHICHIGNOUD G.
(INPGrenoble, CNRS-ENSEEG, BP 75, 38402 Saint Martin d’Heres, FRA)
,
PONS M.
(INPGrenoble, CNRS-ENSEEG, BP 75, 38402 Saint Martin d’Heres, FRA)
,
BLANQUET E.
(INPGrenoble, CNRS-ENSEEG, BP 75, 38402 Saint Martin d’Heres, FRA)
,
CHAUSSENDE D.
(INPGrenoble, CNRS-ENSEEG, BP 75, 38402 Saint Martin d’Heres, FRA)
,
ANIKIN M.
(INPGrenoble, CNRS-ENSEEG, BP 75, 38402 Saint Martin d’Heres, FRA)
,
PERNOT E.
(INPGrenoble, CNRS-ENSEEG, BP 75, 38402 Saint Martin d’Heres, FRA)
,
MERMOUX M.
(INPGrenoble, CNRS-ENSEEG, BP 75, 38402 Saint Martin d’Heres, FRA)
,
MADAR R.
(INPGrenoble, CNRS-ENSEEG, BP 75, 38402 Saint Martin d’Heres, FRA)
,
MOISSON C.
(NOVASiC, Savoie Technolac, BP 267, 73375 Le Bourget du Lac Cedex, FRA)
,
LETERTRE F.
(SOITEC, Parc Technologique des Fontaines 38190 Bernin, FRA)
資料名:
Surface & Coatings Technology
(Surface & Coatings Technology)
巻:
201
号:
7
ページ:
4014-4020
発行年:
2006年12月20日
JST資料番号:
D0205C
ISSN:
0257-8972
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)