前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902210688581415
整理番号：05A0243099
CVD法によるシリコン基板上のCeO2フィルムの作成
FABRICATION OF CeO2 FILMS ON SILICON SUBSTRATES BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
SAKURAI K
(Hosei Univ., Tokyo)
,
OHNO H
(Hosei Univ., Tokyo)
,
TAGUI K
(Hosei Univ., Tokyo)
,
MORITA T
(Hosei Univ., Tokyo)
,
SUZUKI S
(Semiconductor Process Lab. Co., Ltd, Chiba)
,
ISHIBASHI K
(ANELVA CORP., Tokyo)
,
YAMAMOTO Y
(Hosei Univ., Tokyo)
資料名：
Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement
(Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement)
号： 23 ページ： 27-30 発行年： 2005年03月
JST資料番号： L0263A ISSN： 0914-2908 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。