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文献
J-GLOBAL ID：200902211275255354
整理番号：09A1072492
横方向酸素化プロセスを用いたHfO2/TiN/ポリSiゲートスタックによるpFET Vt制御
pFET Vt control with HfO2/TiN/poly-Si gate stack using a lateral oxygenation process
CARTIER E.
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA)
,
STEEN M.
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA)
,
LINDER B.P.
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA)
,
ANDO T.
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA)
,
IIJIMA R.
(Toshiba America Electronic Components, Inc.)
,
FRANK M.
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA)
,
NEWBURY J.S.
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA)
,
KIM Y.H.
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA)
,
MCFEELY F.R.
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA)
,
COPEL M.
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA)
,
HAIGHT R.
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA)
,
CHOI C.
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA)
,
CALLEGARI A.
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA)
,
PARUCHURI V.K.
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA)
,
NARAYANAN V.
(IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2009 ページ： 36-37 発行年： 2009年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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