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文献
J-GLOBAL ID：200902211332869437
整理番号：04A0462988
ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM
Impact of Actively Body-bias Controlled (ABC) SOI SRAM for Low-Voltage and High-Speed Operation
平野有一
(ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部)
,
一法師隆志
(ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部)
,
新居浩二
(ルネサステクノロジ 設計基盤開発部)
,
塚本康正
(ルネサステクノロジ 設計基盤開発部)
,
前川繁登
(ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部)
,
犬石昌秀
(ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部)
,
大路譲
(ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部)
資料名：
電気学会電子デバイス研究会資料
(電気学会研究会資料)
巻： EDD-04 号： 38-47 ページ： 31-34 発行年： 2004年03月04日
JST資料番号： Z0910A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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