文献
J-GLOBAL ID:200902211410823651
整理番号:06A0829143
SOI MOSFETおよびGOI MOSFETの比較解析
Comparative Analysis of SOI and GOI MOSFETs
著者 (5件):
BEYSSERIE Sebastien
(Advantest America, Inc., CA, USA)
,
BRANLARD Julien
(Fermi National Accelerator Lab., IL, USA)
,
ABOUD Shela
(Worcester Polytechnic Inst., MA, USA)
,
GOODNICK Stephen M.
(Arizona State Univ., AZ, USA)
,
SARANITI Marco
(Illinois Inst. Technol., IL, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
53
号:
10
ページ:
2545-2550
発行年:
2006年10月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)