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文献
J-GLOBAL ID：200902211442110312
整理番号：06A0367963
Al2O3上のエピタキシャル成長GaN膜における層モードデバイス
Layer mode dvices on epitaxially grown GaN films on Al2O3
HOHKAWA K.
(Kanagawa Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
,
KANESHIRO C.
(Kanagawa Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
,
KOH K.
(Kanagawa Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
,
NISHIMURA K.
(Nippon Tetelegraph & Telephone Co., Kanagawa, JPN)
,
SHIGEKAWA N.
(Nippon Tetelegraph & Telephone Co., Kanagawa, JPN)
資料名：
Proceedings. IEEE Ultrasonics Symposium
(Proceedings. IEEE Ultrasonics Symposium)
巻： 2005 Vol.3 ページ： 1600-1603 発行年： 2005年
JST資料番号： A0437C ISSN： 1051-0117 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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