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文献
J-GLOBAL ID：200902211567362445
整理番号：03A0506041
ナノ結晶シリコンの核形成及び成長のTEM,XPS及びESRによる研究
Nucleation and growth of nanocrystalline silicon studied by TEM, XPS and ESR
SATO K
(Tokai Univ., Kanagawa, JPN)
,
IZUMI T
(Tokai Univ., Kanagawa, JPN)
,
IWASE M
(Tokai Univ., Kanagawa, JPN)
,
SHOW Y
(Michigan State Univ., MI, USA)
,
MORISAKI H
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
,
YAGUCHI T
(Hitachi Sci. Systems, Ltd., Ibaraki, JPN)
,
KAMINO T
(Hitachi Sci. Systems, Ltd., Ibaraki, JPN)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 216 号： 1/4 ページ： 376-381 発行年： 2003年06月30日
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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