文献
J-GLOBAL ID:200902211711679637
整理番号:08A0360561
高性能キャッシュの変動トレランスおよび低電圧動作用8T-SRAM
An 8T-SRAM for Variability Tolerance and Low-Voltage Operation in High-Performance Caches
著者 (8件):
CHANG Leland
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
,
MONTOYE Robert K.
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
,
NAKAMURA Yutaka
(IBM Global Engineering Serv., Kyoto, JPN)
,
BATSON Kevin A.
(IBM Systems and Technol. Group, VT, USA)
,
EICKEMEYER Richard J.
(IBM Systems and Technol. Group, MN, USA)
,
DENNARD Robert H.
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
,
HAENSCH Wilfried
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
,
JAMSEK Damir
(IBM Austin Res. Lab, TX, USA)
資料名:
IEEE Journal of Solid-State Circuits
(IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻:
43
号:
4
ページ:
956-963
発行年:
2008年04月
JST資料番号:
B0761A
ISSN:
0018-9200
CODEN:
IJSCBC
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)