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文献
J-GLOBAL ID：200902211813882640
整理番号：07A1056327
二段階大気圧プラズマ増強蒸着-酸化過程を用いたSiO2層の低温形成
Low-temperature formation of SiO2 layers using a two-step atmospheric pressure plasma-enhanced deposition-oxidation process
KAKIUCHI Hiroaki
(Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamada-oka, Suita, Osaka ...)
,
OHMI Hiromasa
(Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamada-oka, Suita, Osaka ...)
,
HARADA Makoto
(Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamada-oka, Suita, Osaka ...)
,
WATANABE Heiji
(Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamada-oka, Suita, Osaka ...)
,
YASUTAKE Kiyoshi
(Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamada-oka, Suita, Osaka ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 91 号： 16 ページ： 161908-161908-3 発行年： 2007年10月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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