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文献
J-GLOBAL ID：200902212010526050
整理番号：06A0643009
Si電気化学エッチングを用いる高アスペクト比アレイ構造の加工
Fabrication of high-aspect-ratio arrayed structures using Si electrochemical etching
SATO Hirotaka
(Dep. of Applied Chemistry, Waseda Univ., Okubo, 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo, 169-8555, JPN)
,
HOMMA Takayuki
(Dep. of Applied Chemistry, Waseda Univ., Okubo, 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo, 169-8555, JPN)
資料名：
Science and Technology of Advanced Materials
(Science and Technology of Advanced Materials)
巻： 7 号： 5 ページ： 468-474 発行年： 2006年07月
JST資料番号： W1262A ISSN： 1468-6996 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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