文献
J-GLOBAL ID:200902212427466450
整理番号:04A0418772
銀メタライゼーションのための酸窒化タンタル薄膜の拡散障壁及び電気的性質の評価
Evaluation of diffusion barrier and electrical properties of tantalum oxynitride thin films for silver metallization
著者 (4件):
MISRA E
(Arizona State Univ., AZ, USA)
,
WANG Y
(Arizona State Univ., AZ, USA)
,
THEODORE N D
(Arizona State Univ., AZ, USA)
,
ALFORD T L
(Arizona State Univ., AZ, USA)
資料名:
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻:
457
号:
2
ページ:
338-345
発行年:
2004年06月15日
JST資料番号:
B0899A
ISSN:
0040-6090
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)