文献
J-GLOBAL ID:200902212438452337
整理番号:09A0458489
チャネルのホットキャリアストレスを与えた後の原子層堆積HfSiONゲート金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタに及ぼすHf濃度の影響
The Influence of Hf-Composition on Atomic Layer Deposition HfSiON Gated Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors after Channel-Hot-Carrier Stress
著者 (4件):
CHEN Shuang-Yuan
(National Taipei Univ. Technol., Taipei, TWN)
,
CHEN Hung-Wen
(National Taipei Univ. Technol., Taipei, TWN)
,
LIU Chuan-Hsi
(National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN)
,
CHENG Li-Wei
(United Microelectronics Corp., Hsinchu, TWN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
48
号:
4,Issue 2
ページ:
04C009.1-04C009.4
発行年:
2009年04月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)