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文献
J-GLOBAL ID：200902212440733610
整理番号：03A0329429
フローティングゲートとしてInAsナノドットを有するサブミクロンスケールのAlGaAs/GaAs電界効果トランジスタにおける電子輸送
Electron transport in a submicron-scale AlGaAs/GaAs field-effect transistor with InAs nanodots as the floating gate
KOIKE K
(Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN)
,
SASA S
(Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN)
,
INOUE M
(Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN)
,
YANO M
(Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 21 号： 2 ページ： 710-713 発行年： 2003年03月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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