文献
J-GLOBAL ID:200902212476866692
整理番号:07A0654015
サブ45nm CMOS素子における電気特性ゆらぎ
Electrical Characteristic Fluctuations in Sub-45nm CMOS Devices
著者 (3件):
YANG Fu-Liang
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu City, TWN)
,
HWANG Jiunn-Ren
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu City, TWN)
,
LI Yiming
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
Proceedings of the IEEE Custom Integrated Circuits Conference
(Proceedings of the IEEE Custom Integrated Circuits Conference)
巻:
2006 Vol.2
ページ:
691-694
発行年:
2006年
JST資料番号:
H0843A
ISSN:
0886-5930
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)