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文献
J-GLOBAL ID：200902212500735464
整理番号：04A0094360
キャリア分離法を用いた,金属ゲート電極を有する高-K誘電体中の電荷捕獲と絶縁破壊メカニズムの解析
Analysis of Charge Trapping and Breakdown Mechanism in High-K Dielectrics with Metal Gate Electrode using Carrier Separation
LOH W Y
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
CHO B J
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
JOO M S
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
LI M F
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
CHAN D S H
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
MATHEW S
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
KWONG D-L
(Univ. Texas, TX, USA)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2003 ページ： 927-930 発行年： 2003年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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