前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902212669247574
整理番号：03A0409341
多段階パルスレーザ蒸着で成長したC面サファイア上のエピタキシャルZnO薄膜の高電子移動度
High electron mobility of epitaxial ZnO thin films on c-plane sapphire grown by multistep pulsed-laser deposition
KAIDASHEV E M
(Univ. Leipzig, Leipzig, DEU)
,
LORENZ M
(Univ. Leipzig, Leipzig, DEU)
,
WENCKSTERN H V
(Univ. Leipzig, Leipzig, DEU)
,
RAHM A
(Univ. Leipzig, Leipzig, DEU)
,
SEMMELHACK H-C
(Univ. Leipzig, Leipzig, DEU)
,
HAN K-H
(Univ. Leipzig, Leipzig, DEU)
,
BENNDORF G
(Univ. Leipzig, Leipzig, DEU)
,
BUNDESMANN C
(Univ. Leipzig, Leipzig, DEU)
,
HOCHMUTH H
(Univ. Leipzig, Leipzig, DEU)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 82 号： 22 ページ： 3901-3903 発行年： 2003年06月02日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。