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文献
J-GLOBAL ID：200902212718080443
整理番号：03A0506857
高電流利得の4H-SiC NPNパワーバイポーラ接合トランジスタ
A High Current Gain 4H-SiC NPN Power Bipolar Junction Transistor
ZHANG J
(Rutgers Univ., NJ, USA)
,
LUO Y
(Rutgers Univ., NJ, USA)
,
ALEXANDROV P
(United Silicon Carbide, Inc., NJ, USA)
,
FURSIN L
(United Silicon Carbide, Inc., NJ, USA)
,
ZHAO J H
(Rutgers Univ., NJ, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 24 号： 5 ページ： 327-329 発行年： 2003年05月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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