文献
J-GLOBAL ID:200902212740395350
整理番号:05A0496386
不純物ドープSiO2-Si界面の空間電荷層における高調波変調バンド曲がりの非接触レーザ光キャリア放射計測による深さプロフィル測定
Noncontacting laser photocarrier radiometric depth profilometry of harmonically modulated band bending in the space-charge layer at doped SiO2-Si interfaces
著者 (5件):
MANDELIS Andreas
(Ruhr-Univ. Bochum, Bochum, DEU)
,
BATISTA Jerias
(Univ. Toronto, Ontario, CAN)
,
GIBKES Juergen
(Ruhr-Univ. Bochum, Bochum, DEU)
,
PAWLAK Michael
(Ruhr-Univ. Bochum, Bochum, DEU)
,
PELZL Josef
(Ruhr-Univ. Bochum, Bochum, DEU)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
97
号:
8
ページ:
083507.1-083507.11
発行年:
2005年04月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)