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文献
J-GLOBAL ID：200902212750780201
整理番号：09A0429360
分子ビームエピタクシーにより作製したホイスラーCo2FeAl0.5Si0.5電極による磁気トンネル接合の向上したトンネル磁気抵抗
Improved tunnel magnetoresistance of magnetic tunnel junctions with Heusler Co2FeAl0.5Si0.5 electrodes fabricated by molecular beam epitaxy
TEZUKA N.
(Dep. of Materials Sci., Graduate School of Engineering, Tohoku Univ., Aobayama 6-6-02, Sendai 980-8579, JPN)
,
IKEDA N.
(Dep. of Materials Sci., Graduate School of Engineering, Tohoku Univ., Aobayama 6-6-02, Sendai 980-8579, JPN)
,
MITSUHASHI F.
(Dep. of Materials Sci., Graduate School of Engineering, Tohoku Univ., Aobayama 6-6-02, Sendai 980-8579, JPN)
,
SUGIMOTO S.
(Dep. of Materials Sci., Graduate School of Engineering, Tohoku Univ., Aobayama 6-6-02, Sendai 980-8579, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 94 号： 16 ページ： 162504 発行年： 2009年04月20日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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