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文献
J-GLOBAL ID：200902212885208192
整理番号：03A0411522
GaMnAs強磁性半導体の性質に及ぼすBeドーピングの効果
Effect of Be doping on the properties of GaMnAs ferromagnetic semiconductors
LEE S
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
CHUNG S J
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
CHOI I S
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
YULDESHEV S U
(Dongguk Univ., Seoul, KOR)
,
IM H
(Dongguk Univ., Seoul, KOR)
,
KANG T W
(Dongguk Univ., Seoul, KOR)
,
LIM W-L
(Univ. Notre Dame, Indiana)
,
SASAKI Y
(Univ. Notre Dame, Indiana)
,
FURDYNA J K
(Univ. Notre Dame, Indiana)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 93 号： 10,Pt.3 ページ： 8307-8309 発行年： 2003年05月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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