文献
J-GLOBAL ID:200902212989001620
整理番号:03A0826119
ドレインを加工したI/O NMOSのホットキャリア注入に対する酸化膜信頼性
Oxide Reliability of Drain Engineered I/O NMOS From Hot Carrier Injection
著者 (6件):
LUO Y
(Xilinx Inc., CA, USA)
,
NAYAK D
(Xilinx Inc., CA, USA)
,
GITLIN D
(Xilinx Inc., CA, USA)
,
HAO M-Y
(America Customer Engineering, Hsinchu, TWN)
,
KAO C-H
(America Customer Engineering, Hsinchu, TWN)
,
WANG C-H
(America Customer Engineering, Hsinchu, TWN)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
24
号:
11
ページ:
686-688
発行年:
2003年11月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)