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文献
J-GLOBAL ID:200902213064604991   整理番号:05A0987930

急速熱処理技術を伴うゾル-ゲル法によって製作したAg/Bi4Ti3O12/p-Siヘテロ構造の性質に及ぼす配向成長の影響

Effects of oriented growth on properties of Ag/Bi4Ti3O12/p-Si heterostructure prepared by Sol-Gel method with rapid thermal annealing techniques
著者 (2件):
WANG H.
(Guilin Univ. Electronic Technol., Guilin, CHN)
REN M. F.
(Guilin Univ. Electronic Technol., Guilin, CHN)

資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)

巻: 16  号:ページ: 209-213  発行年: 2005年04月 
JST資料番号: W0003A  ISSN: 0957-4522  CODEN: JMTSAS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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