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文献
J-GLOBAL ID：200902213371287987
整理番号：03A0618697
金属ゲートおよびHfO2ゲート誘電体をもつ新型CMOSデバイスにおけるキャリア移動度
Carrier mobility in advanced CMOS devices with metal gate and HfO2 gate dielectric
LIME F
(IMEP, Grenoble, FRA)
,
OSHIMA K
(IMEP, Grenoble, FRA)
,
CASSE M
(CEA, Grenoble, FRA)
,
GHIBAUDO G
(IMEP, Grenoble, FRA)
,
CRISTOLOVEANU S
(IMEP, Grenoble, FRA)
,
GUILLAUMOT B
(CEA, Grenoble, FRA)
,
IWAI H
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 47 号： 10 ページ： 1617-1621 発行年： 2003年10月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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