前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902213483814661
整理番号：05A0535207
走査型非線形誘電顕微鏡法による縦型二重ゲート金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの極薄チャネル内におけるドーパントプロフィールの明示
Demonstration of Dopant Profiling in Ultrathin Channels of Vertical-Type Double-Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor by Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy
MASAHARA Meishoku
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
HOSOKAWA Shinichi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MATSUKAWA Takashi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
ENDO Kazuhiko
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
NAITOU Yuichi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
TANOUE Hisao
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
SUZUKI Eiichi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44 号： 4B ページ： 2400-2404 発行年： 2005年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。