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文献
J-GLOBAL ID：200902213599751888
整理番号：05A0719766
Cl2/SF6/Arの誘導結合プラズマによるTaN/HfO2ゲート積層構造のドライエッチング
Dry Etching of TaN/HfO2 Gate Stack Structure by Cl2/SF6/Ar Inductively Coupled Plasma
SHIN Myoung Hun
(Sungkyunkwan Univ., Kyunggi-do, KOR)
,
NA Sung-Woong
(Sungkyunkwan Univ., Kyunggi-do, KOR)
,
LEE Nae-Eung
(Sungkyunkwan Univ., Kyunggi-do, KOR)
,
OH Tae Kwan
(Kookmin Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Jiyoung
(Kookmin Univ., Seoul, KOR)
,
LEE Taeho
(Hanyang Univ., Seoul, KOR)
,
AHN Jinho
(Hanyang Univ., Seoul, KOR)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44 号： 7B ページ： 5811-5818 発行年： 2005年07月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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