文献
J-GLOBAL ID:200902213627624552
整理番号:07A0110028
フェムト秒レーザパルス照射による超薄非晶質Si層の形成
Ultrathin amorphous Si layer formation by femtosecond laser pulse irradiation
著者 (8件):
IZAWA Yusaku
(Inst. of Laser Engineering, Osaka Univ., 2-6 Yamada-oka, Suita, Osaka 565-0871, JPN)
,
IZAWA Yasukazu
(Inst. of Laser Engineering, Osaka Univ., 2-6 Yamada-oka, Suita, Osaka 565-0871, JPN)
,
SETSUHARA Yuichi
(Joining and Welding Res. Inst., Osaka Univ., 11-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN)
,
HASHIDA Masaki
(Advanced Res. Center for Beam Sci., ICR, Kyoto Univ., Gokasho, Uji, Kyoto 611-0011, JPN)
,
FUJITA Masayuki
(Inst. for Laser Technol., 2-6 Yamada-oka, Suita, Osaka 565-0871, JPN)
,
SASAKI Ryuichiro
(Aisin Seiki Co., Ltd., 17-1 Kojiritsuki, Hitotsugi-cho, Kariya, Aichi 448-0003, JPN)
,
NAGAI Hiroyuki
(Aisin Seiki Co., Ltd., 17-1 Kojiritsuki, Hitotsugi-cho, Kariya, Aichi 448-0003, JPN)
,
YOSHIDA Makoto
(Aisin Seiki Co., Ltd., 17-1 Kojiritsuki, Hitotsugi-cho, Kariya, Aichi 448-0003, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
90
号:
4
ページ:
044107-044107-2
発行年:
2007年01月22日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)