文献
J-GLOBAL ID:200902213646434853
整理番号:06A0057468
OFETのしきい値電圧調節のための半導体-誘電体界面の状態密度のエンジニアリング
Engineering Density of Semiconductor-Dielectric Interface States to Modulate Threshold Voltage in OFETs
著者 (4件):
WANG Annie
(Massachusetts Inst. Technol. (MIT), MA, USA)
,
KYMISSIS Ioannis
(Massachusetts Inst. Technol. (MIT), MA, USA)
,
BULOVIC Vladimir
(Massachusetts Inst. Technol. (MIT), MA, USA)
,
AKINWANDE Akintunde Ibitayo
(Massachusetts Inst. Technol. (MIT), MA, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
53
号:
1
ページ:
9-13
発行年:
2006年01月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)