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文献
J-GLOBAL ID：200902213889728626
整理番号：08A0781482
熱酸化で作製したGeO2/Ge MOS構造の界面捕獲密度の証拠
Evidence of low interface trap density in GeO2/Ge metal-oxide-semiconductor structures fabricated by thermal oxidation
MATSUBARA Hiroshi
(The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
,
SASADA Takashi
(The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
,
TAKENAKA Mitsuru
(The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
,
TAKAGI Shinichi
(The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 93 号： 3 ページ： 032104 発行年： 2008年07月21日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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