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文献
J-GLOBAL ID：200902213903634940
整理番号：08A0812055
原子層堆積により成長したHfO2誘電膜とAl2O3界面パッシベーション層を用いたAlGaN/GaN系MOS-HEMT
AlGaN/GaN MOS-HEMT With HfO2 Dielectric and Al2O3 Interfacial Passivation Layer Grown by Atomic Layer Deposition
YUE Yuanzheng
(Xidian Univ., Xi’an, CHN)
,
HAO Yue
(Xidian Univ., Xi’an, CHN)
,
ZHANG Jincheng
(Xidian Univ., Xi’an, CHN)
,
NI Jinyu
(Xidian Univ., Xi’an, CHN)
,
MAO Wei
(Xidian Univ., Xi’an, CHN)
,
FENG Qian
(Xidian Univ., Xi’an, CHN)
,
LIU Linjie
(Xidian Univ., Xi’an, CHN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 29 号： 8 ページ： 838-840 発行年： 2008年08月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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