文献
J-GLOBAL ID:200902214016416381
整理番号:05A0696974
n+-GaNの厚み変化によるGaN青色発光ダイオードにおける圧縮歪緩和がそのデバイス性能に及ぼす影響
Effect of compressive strain relaxation in GaN blue light-emitting diodes with variation of n+-GaN thickness on its device performance
著者 (4件):
KIM Chi Sun
(Chonbuk National Univ., Chonju, KOR)
,
KIM Hyung Gu
(Chonbuk National Univ., Chonju, KOR)
,
HONG Chang-Hee
(Chonbuk National Univ., Chonju, KOR)
,
CHO Hyung Koun
(Donga Univ., Busan, KOR)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
87
号:
1
ページ:
013502.1-013502.3
発行年:
2005年07月04日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)