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文献
J-GLOBAL ID：200902214018661154
整理番号：04A0035419
rfマグネトロンスパッタリングにより堆積したすずドープ酸化インジウム及び酸化インジウム亜鉛の構造と内部応力の比較研究
Comparative study on structure and internal stress in tin-doped indium oxide and indium-zinc oxide films deposited by r.f. magnetron sputtering
SASABAYASHI T
(Aoyama Gakuin Univ., Kanagawa, JPN)
,
ITO N
(Aoyama Gakuin Univ., Kanagawa, JPN)
,
NISHIMURA E
(Aoyama Gakuin Univ., Kanagawa, JPN)
,
KON M
(Aoyama Gakuin Univ., Kanagawa, JPN)
,
SONG P K
(Aoyama Gakuin Univ., Kanagawa, JPN)
,
UTSUMI K
(Tosoh Corp., Kanagawa, JPN)
,
KAIJO A
(Idemitsu Kosan Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
SHIGESATO Y
(Aoyama Gakuin Univ., Kanagawa, JPN)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 445 号： 2 ページ： 219-223 発行年： 2003年12月15日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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