文献
J-GLOBAL ID:200902214269409705
整理番号:08A1231553
平坦表面と高電子移動度を持つInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造の作製
Fabrication of an InAlN/AlGaN/AlN/GaN Heterostructure with a Flat Surface and High Electron Mobility
著者 (3件):
HIROKI Masanobu
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
MAEDA Narihiko
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
KOBAYASHI Takashi
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
1
号:
11
ページ:
111102.1-111102.3
発行年:
2008年11月25日
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)