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文献
J-GLOBAL ID：200902214324304500
整理番号：09A0713413
H2Oを意図的に添加したNH3を用いて作製したInGaN/GaN発光ダイオードの性能評価
Evaluation of Performance of InGaN/GaN Light-Emitting Diodes Fabricated Using NH3 with Intentionally Added H2O
OKADA Narihito
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
,
ISHIDA Fumio
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
,
MITSUI Yasutomo
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
,
TADATOMO Kazuyuki
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
,
MANGYO Hirotaka
(Taiyo Nippon Sanso Corp., Tokyo, JPN)
,
KOBAYASHI Yoshihiko
(Taiyo Nippon Sanso Corp., Tokyo, JPN)
,
ONO Hiroyuki
(Taiyo Nippon Sanso Corp., Tokyo, JPN)
,
IKENAGA Kazutada
(Taiyo Nippon Sanso Corp., Tokyo, JPN)
,
YANO Yoshiki
(Taiyo Nippon Sanso Corp., Tokyo, JPN)
,
MATSUMOTO Koh
(TN EMC Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48 号： 6,Issue 1 ページ： 062102.1-062102.4 発行年： 2009年06月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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